从技术竞争的角度来看,光芯片被认为是与国外研究进展差距最小的芯片技术,被寄予了中国“换道超车”的希望。

据媒体报道,9月14日晚,我国科学家在国际顶级学术期刊《自然》发表了最新研究,首次得到纳米级光雕刻三维结构,在下一代光电芯片制造领域的获得重大突破。

这一重大发明,未来或可开辟光电芯片制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。

据介绍,南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。

这一新技术突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高了加工精度。

光电芯片制造重大突破!我国科学家首获纳米级光雕刻三维结构

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